
Unsere Arbeitsgruppe beschäftigt sich mit dem Wachstum von Gruppe-III-Nitrid Nanostrukturen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) und deren Anwendung in nanophotonischen Bauelementen. Das Ziel ist es die Bildung von Nanostrukturen auf atomarer Skala zu kontrollieren und damit die optoelektronischen Eigenschaften dieser Materialien masszuschneidern. Zur strukturellen, elektrischen und optischen Charakterisierung der Nanostrukturen stehen eine Reihe von Analysemethoden und Simulationstools zur Verfügung. Im Rahmen des Joint Lab "GaN Optoelectronics" mit dem Ferdinand-Braun-Institut (FBH) und in den Reinräumen des Nanophotonikzentrum (NPZ) werden verschiedenste nanophotonische Bauelemente hergestellt und charakterisiert. Unser besonderes Interesse gilt der Entwicklung von AlGaN-basierten UV-LEDs, UV-VIS Laserdioden und oberflächenemitterenden Laserdioden (UV-VCSEL), GaN-Quantenpunkt-basierte Einzelphotonemitter (SPE) und Photonisch Integrierte Schaltkreise im ultravioletten Spektralbereich (UV-PICs).
Unsere Forschungsarbeiten konzentrieren sich auf das technologisch relevante Materialsystem Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AIN) und Indiumnitrid (InN). Das Wachstum der Heterostrukturen, Quantenfilme und Quantenpunkte erfolgt mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE). Zur Charakterisierung der Nanomaterialien stehen ein Reihe von Analaysemethoden zur Verfügung, u.a. in-situ Spektroskopische Reflektometrie, hochauflösende Röntgenbeugung (HR-XRD), Rasterkraftmikroskopie (AFM), Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Photolumineszensspektroskopie (PL), Transmission- & Reflexionsspektroskopie (PL) und Hall-Effekt-Messungen. Bei der Erforschung neuer Nanomaterialien interessieren wir uns vor allem für folgende Themen:
Der Bereich nanophotonische Bauelemente beschäftigt sich mit der Entwicklung von neuen Bauelementkonzepten für die Optoelektronik und Sensorik. Wir interessieren uns insbesondere für die Entwicklung von: