Experimentalphysik/Elektronen- und Ionen-Nanooptik

Elektronenmikroskopie an Realstrukturen

Virtuelle GaN-Substrate

In enger Zusammenarbeit mit dem IHP in Frankfurt/Oder (Arbeitsgruppe von Prof. Schroeder) untersuchen wir die atomare Struktur von virtuellen GaN-Substraten auf Si(111) über Sc2O3/Y2O3-Puffern. Von besonderem Interesse sind dabei ausgedehnte Defekte im Puffer und im GaN, die Grenzfläche zwischen Sc2O3 und dem GaN und die daraus resultierende Polarität des GaN-Films [1,2]. 

[1] Tarnawska et al., J. Appl. Phys. 113 (2013) 213507.
[2] Niermann et al., J. Appl. Phys. 113 (2013) 223501.